阈值电流相关论文
红外激光触发器产生的触发信号是阴影照相站工作的起始信号。红外激光触发器在长时间工作过程中的稳定性非常关键，一旦出现误触发信......
半导体激光器广泛应用于光通信、气体探测、激光医疗和国防军事等领域,主要通过在外延层中引入布拉格光栅来实现单模激射。典型的......
蓝宝石衬底上生长的InGaN多量子阱激光器列阵研制成功。该激光器列阵有4个脊形发光区。用IBE刻蚀的方法形成,每个脊形的宽度为8μm......
本文针对87Rb芯片原子钟对激励光源的要求，开展了高温工作的795 nm垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的研究。采用压应变InAlGaAs/AlGaAs......
制作了GaN基多量子阱激光器,实现了室温连续激射。以(0001)面蓝宝石为衬底,在金属有机物化学气相外延(MOCVD))设备上生长激光器外......
山东华光光电子有限公司以国家计委产业化前期关键技术项目为依托,将650nm半导体激光器迅速实现了规模化生产.日产650nm量子阱激光......
利用无线能量传输技术为舰载无人机充电可大大提高无人机的续航能力和灵活性。无线能量传输技术也是目前研究的热点之一。本文提出......
为了研究高速1550 nm微波光纤链路的高精度外调制特性,针对多量子阱分布反馈激光器的物理模型讨论了输出功率、阈值电流与温度的依......
半导体激光器(LD)工作在空间辐射或核辐射环境中时, 会受到辐照损伤的影响而导致器件性能退化。文章回顾了不同时期研制的LD(从早......
由于半导体量子点具有很强的三维量子限制效应,量子点(QD)激光器展现出低阈值电流、高调制速率、高温度稳定、低线宽增强因子和高......
本文报道了DH-GaAlAs半导体激光器的非对称激光脉冲振荡的实验观察结果.用求解激光器的速率方程得出的数值解,可较好地解释所观察......
电子辐射是空间辐射环境的重要组成部分, 也是地面模拟空间辐射环境的重要手段。为了研究半导体激光器在空间辐射环境下应用的可行......
砷化镓激光器具有众多应用砷化镓是第一种用于二极管激光器的化合物半导体，是发展最好的二极管激光材料。用铝代替其中的某些镓，可制......
选用高频开关电源作Ｋｒ灯电源，并使用热稳谐振腔、特殊聚光腔等，使Ｎｄ：ＹＡＧ连续激光器输出功率的稳定度达到±２％的水平。
Choose high-frequency ......
半导体微腔激光器随着二十世纪末的临近，制作能够处理和分配大量数字信息的机器变得越来越迫切。信息流必须能在这些机器中各种电子......
本文详细叙述了ＤＦＢ激光器的设计要点和新的工艺。采用一级全息光栅和二步液相外延法批量研制出高稳定单纵模工作的１．５５μｍ分布反馈激光器（ＤＦＢ—......
本文研究了轻掺杂漏（ＬＤＤ）工艺对器件特性的影响。优化了轻掺杂区离子注入的剂量和能量．优化的ＳｉＯ２侧墙ＬＤＤ工艺有效地抑制了短沟道效应．研制成功了......
利用分子束外延（ＭＢＥ）对ＧａＡＩＡｓ和ＧａＡｓ的选择性热蚀特性进行光栅上的二次外延生长，既能获得清洁的外延界面，又能精确控制光栅的形状．采用这种方法，我们在......
对半导体激光器的非线性失真进行了理论分析．得出了计算二阶失真和三阶失真的理论公式．实验验证了理论结果，并发现国产ＤＨ－ＧａＡｌＡｓ半导体激光器的......
新的一代光学微共振器正在使探索凝聚态系统中量子电动力学现象和具有广阔潜在应用前景的微激光器变成现实。
The new generation......
本文分析了直接调制半导体激光的相干性，并予实验证实。对深入了解直接调制半导体激光的特性，具有实用价值。
In this paper, we an......
本文描述了采用JS-450D型射频溅射设备,在GaAs衬底上获得了AIN薄膜。对这种膜在H_2、N_2中不同温度下退火实验,分析了热处理对膜绝......
利用掺饵光纤和环形腔结构，在９８０ｎｍ半导体激光器泵浦下，获得了１．５６μｍ波长的光纤激光器输出。激光器的阈值泵浦功率为５．２ｍＷ。具有很好的线性输出特性......
采用互谱估计方法测量了半导体激光器的微弱电噪声谱及光噪声谱。结果表明两者在超辐射区有较强的相关性。对光噪声的形成机理分析......
注入式激光器二维列阵是固体激光泵浦系统的关键元件，因为它的辐射特性在很大程度上决定该类激光器的输出参数和结构特点。对实际应......
ＮＥＣ为１ＧＤＲＡＭ开发最小的存储单元日本ＮＥＣ公司已为１ＧｂＤＲＡＭ开发了世界上最小的ＤＲＡＭ存储单元─０．３７５μｍ２。这种单元与在ＩＳＳＣＣ９５＇上宣布的用在１ＧｂＤＲＡＭ样品的单元有所不同，这种０．３７５μｍ２的单元技......
报导了锁相列阵激光器产生的亚纳秒光脉冲，测得光脉冲宽度的典型值为２００ｐｓ，光脉冲的峰值功率可达３８０ｍＷ．
The subnanosecond pulses generated b......
用于泵浦固体激光器的波长８０５～８１０ｎｍ的注入式激光器线列的辐射特性半导体激光器泵浦的固体激光器是激光物理和技术领域中很活跃的一个发展分......
垂直腔面发射激光器传输光学线路的数据垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）正从实验室走向商业化。并行光学互连可能是首种应用。这种多光纤线路是......
带调制器的半导体激光器日本三菱电机公司研制成功带调制器的半导体激光器，波长１．５５μｍ，传输速度每秒２．５Ｇ位，不使用中继器其传输距离为１５０ｋｍ。为了降......
采用Ｎ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器和ＤＦＢ激光器在国内已报导过多次，本文介绍用Ｐ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ平面埋层异质结构（ＰＦＢＨ）激光器和ＤＦＢ－ＰＦＢＨ激光器，同时利用晶体生长和晶向的依赖......
报导了由选择氧化法研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡｓ经选择氧化形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功......
在普通双沟平面掩埋异质结（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器的基础上，采用质子轰击的技术，制作了一种新型的选择性质子轰击ＤＣ－ＰＢＨ激光器。这种新型的激光器结构与以前......
从理论上讨论了强调制半导体激光器产生的超短光脉冲，解释了用微波强调制半导体激光器产生超短光脉冲的实验结果．
In this paper, t......
报道了低阈值级联双区脊形波导单量子阱激光器的制备，介绍了它的直流输出特性、光双稳特性、光谱波长调谐和高频调制ｐｓ特性。该激光器......
半导体激光二极管去年经历了巨大的革新。由于这些设施用于城市间、各大洲间的光缆数字信息传输，因而它们对于通讯网络十分关键。在......
从速率方程出发对双区共腔（ｃｏｍｍｏｎ－ｃａｖｉｔｙｔｗｏｓｅｃｔｉｏｎ简称ＣＣＴＳ）光双稳激光器进行了精确的理论分析与计算，并对其稳态特性进行了实验研究和测试，得出了定量和定性的分......
采用GaAlAs单量子阱半导体激光器和LD泵浦的Nd：YVO4－KTP倍频激光器等研制了国内首台可从光导纤维输出5种波长的半导体激光生物组织辐......
在衬底表面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷，使阈值电流大幅度降低，光功率成倍增长。所研制出的量子阱激光器室温脉冲平......
平面微腔半导体激光器的自发发射因子赵一广张宇生黄显玲焦鹏飞（北京大学物理系，北京１００８７１）微腔半导体激光器是近年来量子光学和光电子学领......
